12月7日，接纳三星10nm工艺制造的高通骁龙835跑分遭到曝光。就在一天后，即2016年12月8日，接纳台积电10nm工艺制造的华为麒麟970也遭到媒体曝光。此前，英特尔宣称，将于2017年宣布接纳自家10nm工艺制造的移动芯片，格罗方德也声称自研10nm工艺。

　　四家芯片巨头纷纷进入10nm芯片领域，预示着芯片界的竞争水平提升到新品级。那么，芯片界的这场“战争”会结束吗，芯片的未来又在哪里呢？

　　芯片集成度仍将连续提高

　　1995年起，芯片制造工艺从0.5μm、0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.15μm、0.13μm，生长到90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、14nm，再到即将到来的10nm，芯片的制程工艺不绝生长，集成度不绝提高，这一趋势还将连续下去。

　　2016年12月8日，台积电声称，将在2017年初开始7nm的设计定案，并在2018年初量产，对5nm、3nm和2nm工艺的相关投资事情也已开始。此前，三星购置了ASML的NXE3400光刻机，为生产7nm芯片作准备，并计划在2018年上半年实现量产。

　　虽然在硅晶体管的尺寸缩小到一定水平时会爆发量子效应，导致晶体管的特性难以控制。不过，短期内，缩减制程尺寸，提高芯片集成度仍是芯片厂商推动芯片向前生长的偏向，7nm、5nm、3nm、2nm工艺将一步步加剧芯片厂商之间的竞争。

　　新技术将获得应用

　　除了FinFIT技术外，三星、英特尔等芯片厂商近些年纷纷投入到FD-SOI（全耗尽绝缘体硅）工艺、硅光子技术、3D堆叠技术等的研究中，以求突破FinFET的制造极限，拥有更多的主动权。种种新技术中，犹以3D堆叠技术为研究重点。

　　3D堆叠技术通过在存储层上叠加逻辑层，将芯片的结构由平面型升级建立体型，大大缩短互连线长度，使得数据传输更快，所受滋扰更小。

　　目前，这样的3D技术在理论层面已有较大进展，并在实践中获得开端应用。2013年，三星推出了3D圆柱形电荷捕获型栅极存储单位结构技术，笔直堆叠可达24层。同年，台积电与Cadence相助开发出了3D-IC的参考流程。2015年，英特尔和美光相助推出了3D XPoint技术，使用该技术的存储芯片目前已经量产。

　　新技术的降生，为当下芯片开辟了全新的生长领域，这也势必加剧芯片厂商的竞争水平。

　　新质料将进入芯片领域

　　目前，制造芯片的原质料以硅为主。不过，硅的物理特性限制了芯片的生长空间。2015年4月，英特尔宣布，在抵达7nm工艺之后将不再使用硅质料。

　　III-V族化合物、石墨烯等新质料为突破硅基芯片的瓶颈提供了可能，成为众多芯片企业研究的焦点，尤其是石墨烯。

　　相比硅基芯片，石墨烯芯片拥有极高的载流子速度、优异的等比缩小特性等优势。IBM体现，石墨烯中的电子迁移速度是硅质料的10倍，石墨烯芯片的主频在理论上可达300GHz，而散热量和功耗却远低于硅基芯片。麻省理工学院的研究发明，石墨烯可使芯片的运行速率提升百万倍。

　　制约石墨烯芯片的最大因素是石墨烯的本钱问题，不过随着制作工艺已逐渐成熟，石墨烯的本钱呈下降趋势，石墨烯芯片量产的日子也不会太远。2011年底，宁波墨西科技建成年产300吨的石墨烯生产线，每克石墨烯销售价格只要1元。2016年4月，华讯方舟做出了石墨烯太赫兹芯片。

　　新质料为芯片的生长提供了全新的偏向，具有极大的潜力，已成为芯片厂商把控未来趋势、占领制高点的必争领域，而这也将使得芯片厂商之间的竞争日益庞大。

　　从芯片降生至今，芯片领域的立异从未停止，各厂商之间的竞争也从未停歇。应变硅技术成绩了90nm时代，一种栅介质新质料成绩了45nm时代，三栅极晶体管成绩了22nm时代，FinFET技术成绩了当下的芯片时代。

　　未来， 3D堆叠等新技术、石墨烯等新质料将连续推动芯片领域的立异与生长，芯片厂商之间的竞争领域也将延伸，从智能手机扩展到互联网汽车、VR、人工智能等，竞争将日趋庞大和猛烈。人类对科学无尽的探索，将使得芯片行业的这场“战争”继续下去。